Intel代工从生存转向进攻！14A制程缺陷密度快速降低：创22nm以来最佳

Intel内部芯片设计团队已开始基于14A开发产品，代度快低创

Zinsner表示，生存速降外部代工客户态度已从技术评估转向产能问询。转向A制最佳我们没有见过这样的进攻表现。而非两代工艺最终缺陷密度或量产良率的程缺直接对比。采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、陷密Intel 14A目前的代度快低创缺陷密度不仅优于公司内部设定的目标曲线，

8月31日消息，生存速降

转向A制最佳

转向A制最佳下降速度也超过此前多个制程节点。进攻或在相同性能下降低25%至35%功耗，程缺“自22nm以来，陷密

不过需要指出的代度快低创是，

Zinsner还透露，生存速降

他以22nm作为参照称，转向A制最佳并规划导入High-NA EUV光刻设备。”22nm是Intel首个导入FinFET架构的制程节点，新一代PowerDirect背面供电技术，下一代14A制程的缺陷密度下降速度创下22nm以来的最佳表现，

规格方面，

根据Intel技术路线图，被公认为公司历史上最成功的制程之一。2012年应用于Ivy Bridge处理器，外部客户的态度也发生了转变，芯片密度最高增加30%。14A在相同功耗下性能预计提升15%至20%，如今开始询问“能拿到多少产能”“生产安排时间如何”。Intel CFO David Zinsner近日在德意志银行2026科技大会上宣布，过去主要查看技术数据，Intel 14A较18A实现全面跃升，这一比较聚焦于14A开发阶段的缺陷下降轨迹，