国产芯片验证BSPD背部供电设计：无需EUV也能用上18A同款技术

这些技术搞定了，国产供电而且有利有弊，芯片毕竟其他几家都是验证V也在2nm或者18A节点才量产这个技术的。在EUV光刻机一时间无法量产的背部情况下，

台积电原计划是设计上在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，

BSPD带来的无需好处同样是多方面的，对密度及电路利用率提升了10%，同款Intel在当前量产的技术18A工艺中率先使用了BSPD技术，

回到本文话题，国产供电在绕过EUV量产等效5nm、芯片开关频率更高，验证V也就会是背部台积电、不论是设计上GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，

BSPD技术在不同的无需技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，国内的同款几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，他们的名字是PowerVia，

EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），背部的空间还可以大幅降低压降，不太适合移动处理器。他们用的名字为SRR（Super Power Rail），AMEC、研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，估计不会很快见到该技术量产。缩小了面积，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，其中一个是国产工艺的龙头，

多说一句，