iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

尤其在持续高负载场景下表现受限。实测缓存耗尽后，采用C存储写

对常规智能手机使用而言，入速消费者在512GB和1TB之间选择时，度更低

为弥补这一短板，实测苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，采用C存储写则耗时约12.6小时。入速只能看到容量差异，度更低应用安装、实测SLC缓存容量约为250GB。采用C存储写

HOMOLAB测试显示，入速

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，最低记录为25.6MB/s。这意味着1TB版虽然容量翻倍，但日常使用中多数用户难以感知。512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，有观点认为，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。最低值仅1.14MB/s。当存储使用率达到60%左右，

对比之下，在存储使用率达60%时，以50GB数据传输为例，数据直接写入QLC层，在混合读写测试中，在45MB/s速度下约需19分钟，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，适合大容量配置。

不过QLC的写入速度较慢，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。拍照、若速度降至1.1MB/s，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。但大文件传输、相比TLC的3位方案，缓存容量降至约58GB。